[发明专利]闪存错误检查及纠正修复方法有效
| 申请号： | 201210030422.4 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102543210A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 钱亮;孔蔚然;许丹;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的闪存错误检查及纠正修复方法包括：初始测试步骤，用于使闪存通过晶圆级测试以及封装级测试；应用步骤，用于将闪存应用至特定应用领域；第一判断步骤，用于判断是否存在擦除动作；其中，当第一判断步骤中判断存在擦除动作时读取整个擦除区域；在读取整个擦除区域之后执行第二判断步骤，用于判断是否存在读取失效。当第二判断步骤中判断存在读取失效时执行用于判断是否存在行失效的第三判断步骤。当第三判断步骤中判断存在行失效时执行用于判断冗余扇区是否失效的第四判断步骤。当第四判断步骤中判断冗余扇区失效时利用冗余扇区来进行修复。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 错误 检查 纠正 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存错误检查及纠正修复方法，其特征在于包括：初始测试步骤，用于使闪存通过晶圆级测试以及封装级测试；应用步骤，用于将闪存应用至特定应用领域；第一判断步骤，用于判断是否存在擦除动作；其中，当第一判断步骤中判断存在擦除动作时读取整个擦除区域。
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