[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210030512.3 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102544368A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘明;陆丛研;姬濯宇;商立伟;王宏;刘欣;韩买兴;陈映平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括：在硅片上氧化制备二氧化硅绝缘层；对二氧化硅绝缘层进行OTS修饰；在修饰后的二氧化硅绝缘层表面上沉积生长有机半导体层；在有机半导体层表面上沉积生长一层金属氧化物半导体层；以及在金属氧化物半导体层表面上沉积生长一层金属电极。本发明的有机薄膜晶体管，具有性能高、工艺简单、重复性好，并且相对传统工艺制备的有机薄膜晶体管成本又明显降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：硅基(101)；形成于该硅基(101)之上的绝缘层(102)；形成于该绝缘层(102)之上的硅烷耦合剂‑十八烷基三氯硅烷修饰层(103)；形成于该硅烷耦合剂‑十八烷基三氯硅烷修饰层(103)之上的有机半导体层(104)；形成于该有机半导体层(104)之上的缓冲层(105)；以及形成于该缓冲层(105)之上的电极(106)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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