[发明专利]非易失性存储器元件及其阵列

摘要

一种非易失性存储器元件，包括一第一电极、一电阻结构、一选择器结构以及一第二电极。电阻结构包括一第一氧化层以及一第一金属层。选择器结构配置于电阻结构上。选择器结构包括一第二氧化层、一第三氧化层以及一第四氧化层。第二氧化层配置于第一金属层上。第三氧化层配置于第二氧化层。第四氧化层配置于第三氧化层上。选择器结构包括一双极性选择器，具有一第一端及一第二端。双极性选择器中的一隧道电子流根据其两端的偏压由第一端流至第二端，或者由第二端流至第一端。另外，一种包括上述存储器元件的非易失性存储器阵列亦被提出。

主权项

一种非易失性存储器元件，包括：一第一电极；一电阻结构，配置于该第一电极上，包括：一第一氧化层，配置于该第一电极上；以及一第一金属层，配置于该第一氧化层上；一选择器结构，配置于该电阻结构上，包括：一第二氧化层，配置于该第一金属层上；一第三氧化层，配置于该第二氧化层上；以及一第四氧化层，配置于该第三氧化层上；以及一第二电极，配置于该选择器结构上，其中该选择器结构包括一双极性选择器，具有一第一端及一第二端，该双极性选择器中的一隧道电子流根据其两端的偏压由该第一端流至该第二端，或者由该第二端流至该第一端。