[发明专利]使用电介质膜填充端间的间隙有效
| 申请号： | 201210030980.0 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102637625A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王祥保 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 用于制造半导体器件的方法包括在半导体基板上形成多个栅极结构。将多个栅极结构配置在多条线路中，其中，在线路之间的端间间隙小于在线路之间的线间间隔。该方法进一步包括：在栅极结构的上方形成蚀刻停止层，在栅极结构的上方形成层间电介质，以及在形成层间电介质以前在栅极结构的上方形成电介质膜。电介质膜结合在栅极结构之间的端间间隔中形成的端间间隙中。本发明还提供了一种使用电介质膜填充端间的间隙的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电介质 填充 间隙 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板上形成多个栅极结构，将所述多个栅极结构配置在多条线路中，其中，在所述线路之间的端间间隔小于在所述线路之间的线间间隔；在所述栅极结构的上方形成蚀刻停止层；在所述栅极结构的上方形成层间电介质；以及在形成所述层间电介质以前，在所述栅极结构的上方形成电介质膜，所述电介质膜结合在所述栅极结构之间的所述端间间隔中形成的端间间隙中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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