[发明专利]光吸收层的改质方法在审
| 申请号： | 201210030982.X | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103187480A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈伟谦;郑隆藤;邱鼎文;谢东坡 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光吸收层的改质方法，包括以下步骤：(a)提供一基板；(b)形成一光吸收层于该基板之上，其中该光吸收层包括IB族元素、IIIA族元素与VI族元素；(c)形成一浆料于该光吸收层之上，其中该浆料包括VI族元素；以及(d)将含有该浆料的该光吸收层进行一热处理制程。 | ||
| 搜索关键词： | 光吸收 方法 | ||
【主权项】：
一种光吸收层的改质方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)提供一基板；(b)形成一光吸收层于该基板之上，其中该光吸收层包括IB族元素、IIIA族元素与VI族元素；(c)形成一浆料于该光吸收层之上，其中该浆料包括VI族元素；以及(d)将含有该浆料的该光吸收层进行一热处理制程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210030982.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
