[发明专利]垂直式发光二极管及其制法与应用无效
| 申请号： | 201210031028.2 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN103219444A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 宋健民;甘明吉 | 申请（专利权）人： | 铼钻科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种垂直式发光二极管，包括：导电基板；导电性类金刚石层，设置于该导电基板上；第一绝缘保护层，设置于该导电性类金刚石层上且设有第一开孔；第一电极，设置于该导电性类金刚石层上且位于该第一绝缘保护层的该第一开孔中；半导体外延层，设置于该第一电极上；第二绝缘保护层，设置于该第一绝缘保护层上且覆盖该半导体外延多层复合结构侧面，且设有第二开孔，以显露该半导体外延多层复合结构表面；以及第二电极，设置于该半导体外延多层复合结构上且位于该第二绝缘保护层的该第二开孔中。本发明还公开了关于上述垂直式发光二极管的制法。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 及其 制法 应用 | ||
【主权项】：
一种垂直式发光二极管，包括：一导电基板；一导电性类金刚石层，设置于该导电基板上；一第一绝缘保护层，设置于该导电性类金刚石层上且设有一第一开孔；一第一电极，设置于该导电性类金刚石层上且位于该第一绝缘保护层的该第一开孔中；一半导体外延层，设置于该第一电极上；一第二绝缘保护层，设置于该第一绝缘保护层上且覆盖该半导体外延多层复合结构侧面，且设有一第二开孔，以显露该半导体外延多层复合结构表面；以及一第二电极，设置于该半导体外延多层复合结构上且位于该第二绝缘保护层的该第二开孔中。
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