[发明专利]半导体存储器件及其访问方法有效
| 申请号： | 201210031886.7 | 申请日： | 2012-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN103247627A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 朱正勇;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体存储器件及其访问方法，其中半导体存储器件包括氧化物异质结晶体管，所述氧化物异质结晶体管包括氧化物衬底；位于氧化物衬底上的氧化物薄膜，其中氧化物衬底和氧化物薄膜之间的界面层表现出二维电子气的特性；位于氧化物薄膜上并且与界面层电连接的源电极和漏电极；位于氧化物薄膜上的前栅；以及位于氧化物衬底下表面上的背栅，其中，氧化物异质结晶体管的源电极和漏电极分别与用于执行读取操作的第一字线和第一位线相连接，前栅和背栅分别与用于执行写入操作的第二字线和第二位线相连接。该半导体存储器件是1T配置的存储器件，其结构简单，并且提高了集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 访问 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括氧化物异质结晶体管，所述氧化物异质结晶体管包括氧化物衬底；位于氧化物衬底上的氧化物薄膜，其中氧化物衬底和氧化物薄膜之间的界面层表现出二维电子气的特性；位于氧化物薄膜上并且与界面层电连接的源电极和漏电极；位于氧化物薄膜上的前栅；以及位于氧化物衬底下表面上的背栅，其中，氧化物异质结晶体管的源电极和漏电极分别与用于执行读取操作的第一字线和第一位线相连接，前栅和背栅分别与用于执行写入操作的第二字线和第二位线相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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