[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210032437.4 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102637794A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李商文;尹义埈;朴珍燮;朴成铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。
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