[发明专利]ZnS/CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜的制备方法

摘要

ZnS/CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜的制备方法，涉及一种TiO2纳米薄膜。制备钛基体试样，在试样表面制备TiO2纳米管阵列膜，再制备CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜，最后制备ZnS/CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜。在白光照射下，这种薄膜可使连接的不锈钢等金属在腐蚀性介质中的电极电位大幅度下降，且在暗态时还可较长时间地维持对不锈钢等金属良好阴极保护效应。具有高效光生阴极保护效应。

主权项

ZnS/CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)制备钛基体试样；2)在钛基体试样表面制备TiO2纳米管阵列膜，所述制备钛表面TiO2纳米管可采用阳极氧化法，具体方法如下：将NH4F溶解在去离子水中，加入丙三醇，得混合溶液，以铂作为对电极，在混合溶液中阳极氧化，再将样品煅烧，再随炉冷却至室温，即在钛基体试样表面制得TiO2纳米管阵列膜；3)制备CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜：所述制备ZnS/CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜采用恒压脉冲电沉积法，具体方法如下：在步骤2)得到的TiO2纳米管阵列膜表面沉积CdTe量子点，将Na2TeO3溶液、CdSO4和氮川三乙酸三钠(Na3NTA)混合后作为反应溶液，用H2SO4调节反应溶液的pH为8～9，采用三电极体系，以TiO2纳米管阵列膜为工作电极，Pt为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，在化学工作站上进行恒压脉冲电沉积，制得CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜；4)制备ZnS/CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜：将步骤3)制得的CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜先在CdCl2溶液中浸泡，烘干后退火处理，即制得CdTe/TiO2复合膜；再采用循环浸渍法在CdTe/TiO2复合膜表面沉积ZnS，具体方法如下：将制备的含有CdTe/TiO2复合膜的样品先浸泡于Zn2+的乙醇溶液中(1～2)min，然后用乙醇冲洗；再置于S2‑的甲醇溶液中浸泡(1～2)min，又用乙醇冲洗，得ZnS/CdTe量子点敏化TiO2纳米薄膜。