[发明专利]三角形金属纳米孔阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201210032487.2 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102530845A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 董培涛;吴学忠;王朝光;邸荻;陈剑;王浩旭;吕宇;王俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;杨斌 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三角形金属纳米孔阵列的制备方法，包括制备双层有序聚苯乙烯纳米球致密排列，制备下层三瓣形排列和上层聚苯乙烯纳米球非致密排列，制备三角形纳米孔阵列结构的金属掩模，制备三角形硅纳米孔阵列模版和制备三角形金属纳米孔阵列等步骤；本发明的制备方法，通用性强、适应性广、兼容性好、效率高、成本低且能为研究金属纳米结构阵列特性提供便利。 | ||
| 搜索关键词： | 三角形 金属 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三角形金属纳米孔阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）制备双层有序聚苯乙烯纳米球致密排列：先配制聚苯乙烯纳米球悬浮液，再将所述聚苯乙烯纳米球悬浮液旋涂于一硅片表面，在硅片表面形成双层有序聚苯乙烯纳米球致密排列；（2）制备下层三瓣形排列和上层聚苯乙烯纳米球非致密排列：采用感应耦合等离子体刻蚀法将所述双层有序致密排列的聚苯乙烯纳米球刻小，上层聚苯乙烯纳米球形成非致密排列，下层聚苯乙烯纳米球形成带有中间突起的三瓣形颗粒排列，下层相邻的三个瓣围成三角形且托举起一个上层的聚苯乙烯球；（3）制备三角形纳米孔阵列结构的金属掩模：在硅片表面沉积一层金属膜，金属膜的沉积厚度大于所述下层三瓣形颗粒中间凸起的高度，但小于瓣的高度，然后去除上层聚苯乙烯纳米球，在硅片表面得到三角形纳米孔阵列结构的金属掩模；（4）制备三角形硅纳米孔阵列模版：以所述金属掩模为刻蚀掩模，利用感应耦合等离子体刻蚀法刻蚀硅片，再利用湿法腐蚀方法去除硅片表面的金属膜，在硅片表面得到三角形硅纳米孔阵列模版；（5）制备三角形金属纳米孔阵列：在所述三角形硅纳米孔阵列模版上沉积金属，制得三角形金属纳米孔阵列。
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