[发明专利]混合硅太阳电池及其制造方法

摘要

混合硅太阳电池及其制造方法。本发明提供一种太阳电池，在该太阳电池中，非晶半导体层(15)位于晶体硅结构的背面上以形成异质结。第一接触结构与晶体层(14)接触，而第二接触结构与非晶层(15)接触。本发明还提供一种形成异质结太阳电池的方法，在该方法中，掺杂的非晶半导体层(15)形成在相反掺杂的晶体硅层(14)上，与该晶体硅层(14)形成背面异质结。随后形成背面接触(16)，与非晶半导体层(15)接触，并且在需要与晶体硅层(14)形成金属接触的位置处形成与晶体硅层(14)相同传导类型的重掺杂区(13)，以便于与随后形成的金属接触(10)接触。

主权项

一种太阳电池，包括：i)晶体硅层，其具有前光接收表面和背面；ii)非晶半导体层，在所述晶体硅层的背面与所述晶体硅层形成异质结；iii)与所述晶体硅层接触的第一接触结构以及位于所述非晶半导体层上并与所述非晶半导体层接触的第二接触结构，其中，所述第一接触结构位于所述晶体硅层的背面，与所述非晶半导体层和所述第二接触结构互相交叉设置。