[发明专利]清洁基板表面的方法和设备有效
申请号: | 201210032669.X | 申请日: | 2008-07-08 |
公开(公告)号: | CN102569136A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;乔黑尼斯·斯温伯格;戴维·K·卡尔森;罗伊辛·L·多尔蒂 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明大体提供用于在半导体基板上形成干净且无伤害的表面的设备及方法。本发明的一个实施例提供一系统,该系统含有一清洁腔室,该清洁腔室适于在基板表面上形成外延层之前,将基板表面暴露于等离子体清洁处理。在一实施例中,采用一方法以减少在清洁腔室中处理的基板的污染,该方法藉由在基板上进行清洁处理之前,于清洁腔室的内表面上沉积集除物质。在一实施例中,于清洁腔室的基板上重复进行氧化及蚀刻步骤,以在基板上暴露出或产生一干净表面,而可以在干净表面上沉积外延层。在一实施例中,于清洁步骤中使用低能量等离子体。 | ||
搜索关键词: | 清洁 表面 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种处理半导体基板的方法,包括:将基板放置在处理腔室的处理区域内;将设置在所述处理腔室中的基板的表面暴露于含氧气体中以在所述表面上形成第一含氧层;自所述基板的至少一部分表面移除所述第一含氧层的至少一部分;以及将所述基板的所述表面暴露于含氧气体中以在所述表面上形成第二含氧层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造