[发明专利]采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法有效
| 申请号： | 201210032754.6 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102570309A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 周旭亮;于红艳;潘教青;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法，包括：采用低压MOCVD方法在硅衬底上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、下包层、第一下限制层和第一二氧化硅层；干法刻蚀和湿法刻蚀结合的方法将第一二氧化硅层刻蚀出沟槽；在沟槽中依次生长第二下限制层、下波导层、多量子阱有源区和上波导层；在上波导层和第一二氧化硅层上生长结合层、上限制层、第一上包层和光栅层；将光栅层刻成光栅；在刻成光栅后的光栅层上二次外延第二上包层和接触层；在第二上包层和接触层上刻出脊条；在刻出脊条的第二上包层和接触层及脊条的两侧生长第二二氧化硅层，并在接触层上开电极窗口，溅射钛铂金电极；将硅衬底背面减薄，蒸发金锗镍电极，退火，完成器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 选区 生长 有源 850 nm 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用低压MOCVD方法在硅衬底上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、下包层、第一下限制层和第一二氧化硅层；步骤2：采用全息曝光，干法刻蚀和湿法刻蚀结合的方法将第一二氧化硅层刻蚀出沟槽；步骤3：采用MOCVD方法在沟槽中依次生长第二下限制层、下波导层、多量子阱有源区和上波导层；步骤4：采用MOCVD方法在上波导层和第一二氧化硅层上生长结合层、上限制层、第一上包层和光栅层；步骤5：采用全息曝光和湿法刻蚀将光栅层刻成光栅；步骤6：采用MOCVD方法，在刻成光栅后的光栅层上二次外延第二上包层和接触层；步骤7：在第二上包层和接触层上刻出脊条；步骤8：采用PECVD方法，在刻出脊条的第二上包层和接触层及脊条的两侧生长第二二氧化硅层，并在接触层上开电极窗口，溅射钛铂金电极；步骤9：将硅衬底背面减薄，蒸发金锗镍电极，退火，完成器件的制备。
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