[发明专利]带有尖端的金属纳米带阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种带有尖端的金属纳米带阵列的制备方法，包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米球非致密排列、蒸镀金属和制备金属纳米带阵列等工艺步骤，其中，在蒸镀过程中，将硅片倾斜，使所述硅片的法线方向同蒸镀方向存在一定夹角，进而使蒸镀方向上相邻的两PS纳米球在硅片上的投影相交，在投影相交处形成尖端，因此得到带有尖端的金属纳米带阵列；本发明的制备方法通用性强、适应性广、兼容性好、效率高、成本低且能为研究金属纳米结构阵列特性提供便利。

主权项

一种带有尖端的金属纳米带阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列：先配置聚苯乙烯纳米球悬浮液，将所述聚苯乙烯纳米球悬浮液旋涂于一硅片表面，在硅片表面形成单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列；(2)制备单层有序聚苯乙烯纳米球非致密排列：采用感应耦合等离子体刻蚀法将所述致密排列的聚苯乙烯纳米球刻小，在硅片表面得到单层有序聚苯乙烯纳米球非致密排列；(3)蒸镀金属：利用蒸镀工艺在形成有单层有序聚苯乙烯纳米球非致密排列的硅片表面沉积一层金属膜，在蒸镀过程中，将硅片倾斜，使所述硅片的法线方向同蒸镀方向存在一定夹角，进而使蒸镀方向上相邻的两聚苯乙烯纳米球在硅片上的投影相交，在投影相交处形成尖端；(4)制备金属纳米带阵列：去除经所述步骤(3)后沉积有金属膜的硅片表面的聚苯乙烯纳米球，得到带有尖端的金属纳米带阵列。