[发明专利]测量方法、测量设备、光刻设备及器件制造方法无效

专利信息
申请号: 201210033001.7 申请日: 2012-02-14
公开(公告)号: CN102645847A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: A·J·登博夫;M·H·M·比姆斯;T·P·M·卡迪;R·W·L·拉法瑞 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00;G01B11/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明公开了一种测量方法、测量设备、光刻设备以及器件制造方法。设备(AS)测量光刻衬底(W)上的标记(202)的位置。测量光学系统包括用于使用辐射斑(206)照射标记的照射子系统(504)和用于检测被所述标记衍射的辐射的检查子系统(580)。衬底和测量光学系统相对于彼此以第一速度(vW)的移动以便扫描所述标记,同时同步地以第二速度(VSPOT)相对于测量光学系统的参照框架(RF)移动辐射斑。辐射斑以第三速度(VEFF)扫描标记,第三速度低于第一速度以便允许获得更多的时间来用于精确的位置测量。在一个实施例中,物镜(524)相对于参照框架保持固定,同时移动光学元件(562)施加辐射斑相对于参照框架的移动。
搜索关键词: 测量方法 测量 设备 光刻 器件 制造 方法
【主权项】:
一种在光学设备中测量衬底上标记的位置的方法,所述方法包括步骤:在衬底上提供标记;设置测量光学系统,所述测量光学系统包括用于使用辐射斑照射标记的照射子系统和用于检测被所述标记衍射的辐射的检测子系统;在扫描操作过程中相对于彼此以第一速度移动所述衬底和所述测量光学系统、以便用所述辐射斑扫描所述标记,同时检查和处理表示衍射辐射的信号、以计算所述标记相对于所述测量光学系统的参照框架的位置;与所述扫描操作同步地相对于所述测量光学系统的参照框架以第二速度移动所述辐射斑,所述第一和第二速度是相关的、使得所述斑以低于所述第一速度的第三速度扫描所述标记,同时检测所述信号。
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