[发明专利]硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210033024.8 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102569407A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 况维维;刘兴舫;唐治;陈中 | 申请（专利权）人： | 北京中瑞经纬科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 100083 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法，该晶体管自下而上包括：栅电极、低阻硅层、栅极氧化物层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 基石 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基石墨烯场效应晶体管，其特征在于，自下而上包括：栅电极、低阻硅层、栅极氧化物层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。
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