[发明专利]光电转换装置、电子设备有效
| 申请号： | 201210033147.1 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102646687B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 服部恭典;松本友孝;江口司 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 金世煜,苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有可降低漏电流(暗电流)的光电转换部的光电转换装置以及使用该光电转换装置的电子设备。本适用例的光电转换装置，其特征在于，具备在基板上形成的电路部，与电路部电气连接的第1电极(21)，与第1电极(21)相对配置的具有透光性的第2电极(22)，在第1电极(21)和第2电极(22)之间配置的光电转换部(26)；光电转换部(26)由光吸收层(23)、非晶质的氧化物半导体层(24)和窗层(25)层叠而成，所述光吸收层(23)是由黄铜矿型的p型化合物半导体膜构成，所述窗层(25)由n型半导体膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，其特征在于，具备:第1电极，与所述第1电极相对配置的具有透光性的第2电极，和在所述第1电极和所述第2电极之间配置的光电转换部；所述光电转换部具备：由黄铜矿型的p型化合物半导体膜构成的光吸收层、由n型半导体膜构成的窗层、以及在所述光吸收层和所述窗层之间配置的非晶质的氧化物半导体层，所述非晶质的氧化物半导体层是使用厚度为50nm～500nm的非晶的InGaZnO而形成的，所述光吸收层与所述非晶质的氧化物半导体层之间的势垒的大小为0.4eV。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210033147.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
