[发明专利]三五族化合物半导体组件的铜金属连接线无效
| 申请号： | 201210034035.8 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103258809A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 花长煌;朱文慧 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种三五族化合物半导体组件的铜金属连接线，包含一金属接触层以及一含铜金属层；其中该金属接触层位于该含铜金属层下方，由选自下列材料组成的群组所构成：钛/钯/铜(Ti/Pd/Cu)、钛/镍钒/铜(Ti/NiV/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/铜(TiW/TiWN/TiW/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/金(TiW/TiWN/TiW/Au)、钛钨/铜(TiW/Cu)以及钛钨/金(TiW/Au)；该含铜金属层还包含一金属保护层，覆盖于该含铜金属层的上方，用以防止含铜金属层的氧化；该金属保护层的材料为镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)或焊接剂(solder)。 | ||
| 搜索关键词： | 三五 化合物 半导体 组件 金属 连接线 | ||
【主权项】：
一种三五族化合物半导体组件的铜金属连接线，其特征在于，供使用于三五族化合物半导体组件，所述铜金属连接线包含一金属接触层以及一位于所述金属接触层上方的含铜金属层，其中所述金属接触层由选自下列材料组成的群组所构成：钛/钯/铜、钛/镍钒/铜、钛钨/氮化钛钨/钛钨/铜、钛钨/氮化钛钨/钛钨/金、钛钨/铜以及钛钨/金。
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