[发明专利]载置装置无效
| 申请号： | 201210034736.1 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102683241A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 山田浩史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种载置装置，能够实现用于冷却被载置在载置体上的被处理体的冷却机构的省空间化以及低成本化。本发明的载置装置(10)包括：晶圆吸盘(11)，其为了对晶圆(W)进行电气特性检查而用于载置晶圆(W)；以及冷却机构(12)，其用于经由晶圆吸盘(11)冷却晶圆(W)，冷却机构(12)包括：热交换器(121)，其设于晶圆吸盘(11)的下表面；以及冷却装置(122)，其具有用于从热交换器(121)的热介质(121A)吸热的吸热部(122A)，冷却装置(122)借助吸热部(122A)固定于热交换器(121)。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
一种载置装置，其特征在于，该载置装置包括：载置体，其为了对被处理体实施规定的处理而用于载置上述被处理体；以及冷却机构，其用于经由上述载置体冷却上述被处理体，上述冷却机构包括：热交换器，其设于上述载置体的下表面；以及冷却装置，其具有用于从上述热交换器的热介质吸热的吸热部，上述冷却装置借助上述吸热部固定在上述热交换器上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
