[发明专利]一种凸面双闪耀光栅的制作方法

摘要

本发明是一种凸面双闪耀光栅的制作方法，所述凸面双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角，通过先在基片上制作A、B两种同质光栅，以该两种同质光栅为掩模，进行球面转动斜向Ar离子束扫描刻蚀得到所需的A、B闪耀光栅。由于在制作同质光栅时，可以控制正向离子束刻蚀的时间，使同质光栅的槽深得到精确控制，另外由于同质光栅掩模和基片是同一种材质形成，两者的刻蚀速率始终保持一致，因此可以实现闪耀角的精确控制。

主权项

一种凸面双闪耀光栅制作方法，该方法在一球冠状凸面基片上制作凸面双闪耀光栅，所述凸面双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角，双闪耀光栅分为两个区，对应A闪耀角的为A光栅区，对应B闪耀角的为B光栅区，其特征在于：所述制作方法包括下列步骤：1)在基片上涂布光刻胶；2)对所述光刻胶层进行干涉光刻，形成光刻胶光栅；3)遮挡所述B光栅区，在A光栅区上，以所述光刻胶光栅为掩模，对基片进行正向离子束刻蚀，将光刻胶光栅图形转移到基片上，形成A光栅区的同质光栅，刻蚀深度由A闪耀角决定；4)遮挡所述A光栅区，在B光栅区上，以所述光刻胶光栅为掩模，对基片进行正向离子束刻蚀，将光刻胶光栅图形转移到基片上，形成B光栅区的同质光栅，刻蚀深度由B闪耀角决定；5)清洗基片，去除剩余光刻胶。6)遮挡B光栅区，以所述A光栅区的同质光栅为掩模，对基片进行球面转动斜向Ar离子束扫描刻蚀，利用同质光栅掩模对离子束的遮挡效果，使基片材料的不同位置先后被刻蚀，形成A闪耀角的闪耀光栅；7)遮挡A光栅区，以所述B光栅区的同质光栅为掩模，对基片进行球面转动斜向Ar离子束扫描刻蚀，利用同质光栅掩模对离子束的遮挡效果，使基片材料的不同位置先后被刻蚀，形成B闪耀角的闪耀光栅；8)清洗基片，得到双闪耀角的闪耀光栅。