[发明专利]半导体存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210035735.9 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103258860A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体存储器件，为NOR型闪存存储阵列中的存储单元，包括：衬底；衬底上的隧穿层；隧穿层上的浮栅和控制栅，以及浮栅和控制栅之间的阻挡层；其中，所述浮栅采用单晶或微晶半导体材料。单晶或微晶具有致密的结构，有效避免了掺杂通过晶粒间隙在多晶硅浮栅中的扩散，提高了存储器件的性能和可靠性，而且单晶或微晶的浮栅更易于在其上形成均匀、高质的阻挡层，进一步提高存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，为NOR型闪存存储阵列中的存储单元，其特征在于，包括：衬底；衬底上的隧穿层；隧穿层上的浮栅和控制栅，以及浮栅和控制栅之间的阻挡层；其中，所述浮栅采用单晶或微晶半导体材料。
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