[发明专利]一种柔性不锈钢衬底上CIGS吸收层制备方法无效
申请号: | 201210035817.3 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN103258899A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 马格林;张建柱;孙玉娣;彭博 | 申请(专利权)人: | 任丘市永基光电太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/16;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 062550 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 一种柔性不锈钢衬底上高光电转换效率Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层的沉积和处理方法,该沉积和处理方法为采用改进的三步共蒸发和Na掺杂处理CIGS吸收层的方法。改进的三步共蒸发法为先在Mo表面沉积CuGaSe2薄层,随后采用类似三步共蒸发法的前两步,分别沉积(InGa)2Se3预制层和富铜化学计量比的Cu(InGa)Se2和二次相CuxSe,然后用Br2水溶液刻蚀掉二次相CuxSe,最后在刻蚀后的样品表面上蒸发沉积In2Se3膜层,并对其进行退火处理。Na掺杂处理CIGS吸收层的方法为在In2Se3膜层表面沉积Na预制层Na2S,并对其进行高温快速退货处理。该方法得到的CIGS吸收层,具有既产生了Ga的后偏析,Mo/CIGS界面处形成CuGaSe2和MoSe2,又形成大的柱状晶粒和表面贫铜富铟的镜面结构。从而保证了CIGS太阳电池具有较大的开路电压VOC、填充因子FF、短路电流JSC和良好的外量子效率EQE,从而确保了CIGS薄膜太阳电池的高光电转换率。 | ||
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【主权项】:
一种柔性不锈钢衬底上CIGS吸收的层制备方法,其特征在于,其包括:在清洗后的不锈钢衬底上,溅射沉积30nm厚的Ti膜层,随后在其上沉积Mo层将Cu、Ga、Se蒸发沉积在Mo层上,形成CuGaSe2层,以增强Mo/CIGS层间的粘附性能,同时形成Ga梯度。将In、Ga、Se蒸发沉积在CuGaSe2层上,形成(In1‑xGax)3Se5预制层。将Cu、和Se蒸发沉积在(In1‑xGax)3Se5预制层上,形成富铜Cu(InGa)Se2和二次相CuxSe,Br2水溶液刻蚀二次相CuxSe,再将In、Se蒸发沉积在刻蚀后的Cu(InGa)Se2表面,形成贫铜富铟的In2Se3层,对表面形成In2Se3层的样品进行退火处理。在In2Se3层上蒸发沉积Na2S预置层,再对样品进行高温退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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