[发明专利]自动循环等离子气相沉积系统有效
申请号: | 201210035962.1 | 申请日: | 2012-02-16 |
公开(公告)号: | CN102560426A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 朱刚劲;朱刚毅;朱文廓 | 申请(专利权)人: | 肇庆市腾胜真空技术工程有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/54;C03C17/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 裘晖 |
地址: | 526060 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种自动循环等离子气相沉积系统,包括预热室、至少一个等离子气相沉积室、冷却室和清洗室,预热室、等离子气相沉积室和冷却室通过第一导轨依次连接,清洗室与冷却室平行设置且底部设置第二导轨,第一导轨的两端分别通过入室导轨和出室导轨与第一输送带和第二输送带连接,第一导轨、第二导轨、第一输送带和第二输送带形成长方形结构;预热室、等离子气相沉积室、冷却室和清洗室分别外接有抽真空机构;相邻两个真空室之间设有真空锁。本自动循环等离子气相沉积系统是针对大面积工件的表面处理而提出的,克服了传统工艺只能应用于表面积较小的工件的缺陷,其应用范围广,使用也方便。 | ||
搜索关键词: | 自动 循环 等离子 沉积 系统 | ||
【主权项】:
自动循环等离子气相沉积系统,其特征在于,包括预热室、至少一个等离子气相沉积室、冷却室和清洗室,预热室、等离子气相沉积室和冷却室通过第一导轨依次连接,清洗室与冷却室平行设置,清洗室底部设置第二导轨,第一导轨的两端分别设置入室导轨和出室导轨,入室导轨与第一输送带连接并相互垂直设置,出室导轨与第二输送带连接并相互垂直设置,第一导轨、第二导轨、第一输送带和第二输送带形成长方形结构;预热室、等离子气相沉积室、冷却室和清洗室分别外接有抽真空机构;预热室与等离子气相沉积室的相接处和等离子气相沉积室与冷却室的相接处分别设有真空锁;玻璃工件设于工件架上,工件架通过其底部的滚轮运动于第一导轨或第二导轨上;工件架通过入室车运动于第一输送带及入室导轨上,工件架通过出室车运动于第二输送带及出室导轨上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的