[发明专利]铜互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210037645.3 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN103258779A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜互连结构及其制造方法，在低K介质层表面和铜互连线表面沉积先沉积一层Si-C-B掩膜层，如此不会产生能够影响扩散活化能的物质，在此基础上进一步形成SiCN作为铜隔离层，能够确保不受铜原子的影响，避免了氮化铜(CuNx)的形成，减少了突起缺陷的数量，从而提高了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有低K介质层及位于所述低K介质层中的铜互连线；形成Si‑C‑B掩膜层，所述Si‑C‑B掩膜层覆盖所述低K介质层及铜互连线；在所述Si‑C‑B掩膜层上形成铜隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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