[发明专利]基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法在审
| 申请号： | 201210038591.2 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103258901A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 高华;汪建强;王博;谢卿;徐蛟 | 申请（专利权）人： | 上海超日太阳能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 | 代理人： | 叶克英 |
| 地址： | 201406 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：以N型硅片作为电池片的衬底，进行以下步骤，对硅片衬底清洗制绒；以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散，使形成N+/N前表面场；对硅片衬底进行二次清洗；在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO2/a-SiNx叠层结构；在硅片衬底正面沉积a-SiOx/a-SiNx层；丝网印刷背面电极；经烧结，形成硅电池板。本发明的优点：加工工艺简单快速，成本低廉，易于兼容现有工艺的电池技术，并具有极佳的钝化效果，大大提升光电转换率，提高电池使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 宽禁带 siox 低温 sio sub 钝化 接触 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于宽禁带a‑SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：以N型硅片作为电池板的衬底，进行以下步骤，（1） 对硅片衬底清洗制绒；（2） 以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散，使形成N+/N前表面场；（3） 对硅片衬底进行二次清洗；（4） 在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO2/a‑SiNx叠层结构；（5） 在硅片衬底正面沉积a‑SiOx/a‑SiNx层；（6） 丝网印刷背面电极；（7） 经烧结，形成电池片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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