[发明专利]黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法有效
申请号: | 201210039165.0 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN102565600A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 李伟;李雨励;何敏;赵国栋;李世彬;吴志明;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R27/14 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法,属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明的方案要点为:1、通过带反向电压偏置的三电极横向测试装置,直接测试金属/黑硅材料的I-V特性曲线,判定黑硅材料与金属电极之间的接触类型。2、用带反向电压偏置的传输线模型法(TLM法)对黑硅材料的欧姆接触进行测试,得出其比接触电阻。本发明解决了传统的金属/黑硅/单晶硅三明治结构中黑硅/单晶硅异质结对黑硅材料欧姆接触的判定和测试造成的影响,能精确测试金属/黑硅的比接触电阻值。 | ||
搜索关键词: | 材料 金属电极 之间 欧姆 接触 判定 测试 方法 | ||
【主权项】:
黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法,包括以下步骤:步骤1:在黑硅材料(8)表面沉积三个大小相同、间距相等的方形金属电极(1~3),同时在与黑硅材料(8)接触的单晶硅(9)背面沉积金属对电极(10);步骤2:用半导体参数测试仪(12)在黑硅材料(8)表面任意相邻的两个方形金属电极之间施加一个正向电压偏置U+;同时用可变电压源(11)在黑硅材料(8)表面余下的一个方形金属电极与金属对电极(10)之间施加一个反向电压偏置U‑;步骤3:逐渐增加反向电压偏置U‑的大小,能够观察到随着反向电压偏置U‑的增大,正向电压偏置U+对应的黑硅材料(8)表面两个方形金属电极之间的电流逐渐减小,并最终达到一个稳定值;此时黑硅/单晶硅异质结完全反偏,此时的反向电压值为完全反偏电压值;记录下此时半导体参数测试仪(12)的电压、电流值和完全反偏电压值;步骤4:在如步骤2中所述反向电压偏置U‑不低于步骤3中所述完全反偏电压值,即保证黑硅/单晶硅异质结完全反偏的条件下,改变如步骤2中所述正向电压偏置U+的大小,并记录黑硅材料(8)表面任意相邻的两个方形金属电极在不同正向电压偏置U+下的电流值;步骤5:根据步骤4记录的黑硅材料(8)表面任意相邻的两个方形金属电极在不同正向电压偏置U+下的电流值,得到金属/黑硅的I‑V特性曲线并根据此I‑V特性曲线判定黑硅材料与金属电极之间的接触类型:若金属/黑硅的I‑V特性曲线为直线,则黑硅材料与金属电极之间的接触类型为欧姆接触;若金属/黑硅的I‑V特性曲线为曲线,则黑硅材料与金属电极之间的接触类型为整流接触。
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