[发明专利]在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210039176.9 | 申请日： | 2012-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN102560634A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强;高芳亮 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法，包括(1)GaAs衬底清洗；(2)GaAs衬底预处理；(3)脱氧化膜；(4)GaAs缓冲层生长；(5)低温单层In0.6Ga0.4As大失配缓冲层的生长；(6)In0.3Ga0.7As外延薄膜的生长；其中In0.6Ga0.4As大失配缓冲层和In0.3Ga0.7As外延层都可采用分子束外延生长或金属有机气相沉积技术制备，通过该大失配缓冲层降低由于失配应力造成的各类缺陷，所制备的In0.3Ga0.7As外延层缺陷密度较低，具有缓冲层结构简单、外延生长过程简便、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶体质量高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 衬底 生长 ingaas 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法，其特征在于包含如下步骤：(1)GaAs衬底清洗超声去除GaAs衬底表面粘污颗粒；经过三氯乙烯、丙酮、甲醇洗涤，去除表面有机物；将GaAs衬底放在60℃的H2SO4∶H2O2∶H2O(5∶1∶1)溶液中腐蚀2分钟；经HCl清洗去除表面氧化物和有机物；去离子水漂洗；清洗后的GaAs衬底用经过过滤的干燥氮气吹干；(2)GaAs衬底预处理GaAs衬底清洗完毕后，送入分子束外延进样室预除气半小时；再送入传递室300‑400℃除气1小时，完成除气后送入生长室；(3)脱氧化膜GaAs衬底进入生长室后，在砷束流保护下，将GaAs衬底温度升至680℃，高温烘烤15分钟，除去衬底表面的氧化膜层；(4)GaAs缓冲层生长将GaAs衬底温度降至500℃，在反应室压力在7.2×10‑5pa、V/III值为80、生长速度0.5ML/s条件生长100nm的GaAs缓冲层；(5)低温单层In0.6Ga0.4As大失配缓冲层的生长将GaAs衬底温度降至300℃，在反应室压力3.0×10‑5pa、V/III值30、生长速度0.3ML/s条件下生长2～5nm的大失配的In0.6Ga0.4As缓冲层；(6)In0.3Ga0.7As外延薄膜的生长将GaAs衬底温度升至550℃，在反应室压力4.0×10‑5pa、V/III值60、生长速度0.6ML/s条件下，生长In0.3Ga0.7As外延薄膜。
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