[发明专利]一种铜铟镓合金及其制备方法无效
| 申请号： | 201210039988.3 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102560186A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 钟小亮;王广欣;王树森 | 申请（专利权）人： | 苏州晶纯新材料有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22C1/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 汪青 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜铟镓合金及其制备方法，该合金由Cu51wt%、In39wt%以及In10%组成，且该合金的核心相为Cu3Ga和Cu11In9。所述方法以高纯度的铜、铟和镓为原料，通过高真空熔炼的方法，获得了铜铟镓合金。本发明的铜铟镓合金纯度高，且配方合理、新颖，可作为溅射靶材或蒸发料，一步镀膜形成CuInGa层，然后再通过硒化或硫化的方法生成CIGS薄膜，并且该铜铟镓合金可通过非常简便的方法获得。本发明的铜铟镓合金的制备方法简单，且获得的铜铟镓合金的成分及组织均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓合金，其特征在于：该合金由Cu 51wt%、In39wt%以及In10%组成，且杂质元素重量含量满足：Ag<15ppm 、Ni<10ppm 、C<50ppm 、O<600ppm、 Cd<10ppm 、Pb<15ppm 、Co<10ppm 、Sn<25ppm 、Cr<10ppm 、Ti<15ppm 、Fe<10ppm 、V<10ppm、 Hg<10ppm 、Zn<10ppm 、Mn<10ppm、 N<50ppm，该合金的核心相为Cu3Ga和Cu11In9。
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