[发明专利]一种制备二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210040356.9 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102557130A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吴进明;孙静 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的制备二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法，其步骤如下：将氢氟酸、硝酸与去离子水混合，配得酸洗液；在双氧水溶液中添加三聚氰胺和硝酸，得反应液；金属钛板表面经酸洗液酸洗，浸没于反应液中进行反应，反应后的钛片用去离子水清洗，干燥，浸入pH值到1.0～2.8热水中，反应60～90小时后取出，用去离子水清洗，干燥，即可。本发明方法简便易行，完全避免了后续热处理过程引起的晶粒长大及比表面积下降现象，制备过程不需要模板和催化剂，无污染，成本低，得到的薄膜与钛基板结合牢固，结晶度好，光催化活性高，可广泛应用在光催化、光电催化、薄膜太阳能电池、气体传感器、生物材料等众多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化 纳米 阵列 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备二氧化钛纳米花阵列薄膜的方法，其步骤如下：1）将质量百分比浓度为50～55%的氢氟酸、质量百分比浓度为65～68%的硝酸与去离子水按体积比1：3：6混合，得酸洗液；2）在质量百分比浓度为30%的双氧水溶液中添加0.34～0.45摩尔/升的硝酸和0.016～0.024摩尔/升的三聚氰胺，得到反应液；3）将金属钛基板在上述酸洗液中清洗后，再用去离子水超声波清洗，然后浸入反应液中60～80℃下反应60～72小时；4）将反应后的钛片取出，用去离子水清洗后，置于60～80℃热水中，用硫酸调节热水pH值到1.0～2.8，反应60～90小时后取出，用去离子水清洗，干燥，得到二氧化钛纳米花阵列薄膜。
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