[发明专利]衬底模型参数计算方法、光刻设备及控制光刻过程的设备无效
| 申请号： | 201210041207.4 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102650832A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | I·里尤利纳;H·J·G·西蒙斯;M·G·田纳;P·J·赫利斯;M·范柯莫纳德;S·C·T·范德山登;D·M·斯劳特布姆 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G06F19/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种计算衬底的模型参数的方法、光刻设备和用于控制光刻设备的光刻过程的设备。具体地，本发明涉及估计光刻设备的模型参数和控制光刻设备的光刻过程。使用光刻设备跨经晶片执行曝光。测量一组预定的晶片测量部位。标记的预定的和测量的部位被用于生成径向基函数。使用所生成的径向基函数作为跨经所述衬底的基函数来计算所述衬底的模型参数。最后，使用所估计的模型参数来控制光刻设备以曝光衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 模型 参数 计算方法 光刻 设备 控制 过程 | ||
【主权项】：
一种计算设备内衬底的模型参数的方法，所述方法包括步骤：测量所述设备内的衬底上的标记的部位；使用所测量的标记的部位生成径向基函数；和使用所生成的径向基函数作为跨经所述衬底的基函数来计算在所述设备内的所述衬底的模型参数。
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