[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210041249.8 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN103107196A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 万幸仁;叶凌彦;施启元;林以唐;张智胜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的一个示例性结构包括：具有顶面的衬底；在衬底顶面上方延伸的第一鳍片和第二鳍片，其中，每个鳍片均具有顶面和侧壁；位于第一鳍片和第二鳍片之间的绝缘层，该绝缘层从衬底顶面沿着鳍片的一部分向上延伸；覆盖第一鳍片的顶面和侧壁且具有第一厚度的第一栅极电介质和覆盖第二鳍片的顶面和侧壁且具有小于第一厚度的第二厚度的第二栅极电介质；以及跨过第一栅极电介质和第二栅极电介质两者的导电栅极带。本发明提供了鳍式场效应晶体管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，具有顶面；第一鳍片和第二鳍片，在所述衬底顶面上方延伸，其中，所述第一鳍片具有顶面和侧壁，以及所述第二鳍片具有顶面和侧壁；绝缘层，位于所述第一鳍片和所述第二鳍片之间，所述绝缘层从所述衬底顶面沿着所述鳍片的一部分向上延伸；第一栅极电介质和第二栅极电介质，所述第一栅极电介质覆盖所述第一鳍片的所述顶面和侧壁，所述第一栅极电介质具有第一厚度t1，所述第二栅极电介质覆盖所述第二鳍片的所述顶面和侧壁，所述第二栅极电介质具有小于所述第一厚度的第二厚度t2；以及导电栅极带，跨过所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质两者。
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