[发明专利]具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件有效
| 申请号： | 201210041323.6 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102820324B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 宋俔在;赵炳珍;徐顺爱;申宇哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有多层栅极绝缘层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括在石墨烯沟道层与栅极电极之间的多层栅极绝缘层。该多层栅极绝缘层包括有机绝缘层和位于有机绝缘层上的无机绝缘层。有机绝缘层防止杂质被吸收到石墨烯沟道层中，因此石墨烯沟道层的固有特性被保持。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 栅极 绝缘 石墨 电子器件 | ||
【主权项】：
一种石墨烯电子器件，包括：导电基板，用作栅极电极；栅极绝缘层，形成在所述导电基板上；石墨烯沟道层，形成在所述栅极绝缘层上；以及源极电极和漏极电极，分别形成在所述石墨烯沟道层的两端上，其中所述栅极绝缘层包括无机绝缘层和有机绝缘层，其中所述有机绝缘层具有疏水特性并包括氟基聚合物，其中所述有机绝缘层由从聚氟乙烯(PVF)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚全氟丁烯乙烯基醚以及非晶含氟聚合物构成的组中选出的一种材料形成，其中所述有机绝缘层具有在从1nm至20nm的范围内的厚度。
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