[发明专利]薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池无效
| 申请号： | 201210041796.6 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102569478A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 包健 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池，具有N型晶体硅基体，N型晶体硅基体背面沉积有厚度为2～10nm的背面非晶硅本征层，背面非晶硅本征层的背面钝化后沉积有厚度为5～15nm的N型微晶硅层，N型晶体硅基体正面沉积有厚度为2～10nm的正面第一非晶硅本征层，正面第一非晶硅本征层的正面钝化后沉积有厚度为10～20nm的P型微晶硅层，P型微晶硅层正面依次沉积有厚度为5～15nm的N型非晶硅层、厚度为50～200nm的正面第二非晶硅本征层、厚度为10～20nm的P型非晶硅层。本发明可以减少非晶硅本征薄膜的厚度，可以提高对太阳光的利用率，从而提升太阳能电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 非晶硅 晶体 硅异质结叠层 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种薄膜非晶硅‑N型晶体硅异质结叠层太阳能电池，具有N型晶体硅基体，其特征在于：所述的N型晶体硅基体背面沉积有厚度为2～10nm的背面非晶硅本征层，所述的背面非晶硅本征层的背面钝化后沉积有厚度为5～15nm的N型微晶硅层，所述的N型晶体硅基体正面沉积有厚度为2～10nm的正面第一非晶硅本征层，所述的正面第一非晶硅本征层的正面钝化后沉积有厚度为10～20nm的P型微晶硅层，P型微晶硅层正面依次沉积有厚度为5～15nm的N型非晶硅层、厚度为50～200nm的正面第二非晶硅本征层、厚度为10～20nm的P型非晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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