[发明专利]对伪硬掩膜的扭曲控制有效
| 申请号： | 201210041969.4 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102646585A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 许本立;拉金德尔·丁德萨;维纳·波哈瑞;艾瑞克·A·哈德森;安德鲁·D·贝利三世 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法。其提供了对被配置在所述刻蚀层上无定形碳或多晶硅的图案化伪硬掩膜的调节，其中所述调节包括提供包含碳氢气体的无氟淀积气体、由所述无氟淀积气体形成等离子体、提供小于500伏的偏压以及在所述图案化伪硬掩膜顶上形成淀积物。通过所述图案化伪硬掩膜刻蚀所述刻蚀层。 | ||
| 搜索关键词： | 伪硬掩膜 扭曲 控制 | ||
【主权项】：
一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法，包括：a)对配置在所述刻蚀层上的无定形碳或多晶硅的图案化伪硬掩膜提供调节，其中所述调节包括：提供包括碳氢气体的无氟淀积气体；由所述无氟淀积气体形成等离子体；提供小于500伏的偏压；和在所述图案化伪硬掩膜的顶上形成淀积物；以及b)通过所述图案化伪硬掩膜刻蚀所述刻蚀层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
