[发明专利]方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及制备方法有效
| 申请号： | 201210041992.3 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102544379A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张秀娟;秦建丽;张玉萍 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及其制备方法，所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线、金电极、绝缘衬底、N型硅迭置而成，当在两电极之间搭上方酸的单根纳米线时，则构筑出异质结器件，其中N型硅既为电极又为异质结中的N型材料；该器件在暗场、亮场、控温、真空环境下均显示出明显的整流信号，然而当以一定波长范围的单色光照射且施以负压时，出现反向电导增强的现象，原因是光照使得SQ的载流子浓度升高，p-n结变薄，当施加反向偏压的时候，载流子更容易隧穿过结区，出现反向电导升高的现象。本发明结构简单，灵敏度高，成本低，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 方酸单根 纳米 型硅异质结 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线（1）、金电极（2）、绝缘衬底（3）、N型硅（4）迭置而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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