[发明专利]一种高Q值中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210042603.9 申请日: 2012-02-23
公开(公告)号: CN102531571A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 梁飞;王志勇;甘洪文;吕文中 申请(专利权)人: 华中科技大学;武汉虹信通信技术有限责任公司
主分类号: C04B35/465 分类号: C04B35/465;C04B35/622
代理公司: 武汉宇晨专利事务所 42001 代理人: 黄瑞棠
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种高Q值中介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法,涉及微波介质陶瓷。本发明采用一种新型的材料体系:碳酸钙(CaTiO3)和镓酸镧(LaGaO3)两相复合获得xCaTiO3-(1-x)LaGaO3(x=0.66~0.62)微波介质陶瓷,其组分按质量百分比:CaCO325~35%;TiO2 15~30%;La2O320~35%;Ga­2O310~25%;所述CaCO3和TiO2的纯度均大于或等于99.0%,La2O3和Ga­2O3的纯度均大于或等于99.9%。本发明具有良好的微波介电性能;生产工艺过程简单,重复性良好;可广泛应用于性能优异的介质谐振器、滤波器及双工器等微波器件的制备,满足通信基站等系统的技术需求。
搜索关键词: 一种 介电常数 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高Q值中介电常数的微波介质陶瓷,其特征在于其组分按质量百分比:CaCO3     25~35%;TiO2       15~30%;La2O3       20~35%;Ga­2O3       10~25%;所述CaCO3和TiO2的纯度均大于或等于99.0%,La2O3 和Ga­2O3的纯度均大于或等于99.9%。
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