[发明专利]二维式阵列发光二极管元件有效
| 申请号： | 201210042800.0 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN103296044B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王誌贤;许嘉良;陈怡名;赖易堂 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种二维式阵列发光二极管元件，包含一透明基板、若干个发光单元、若干导电配线结构；该透明基板具有一第一表面；每一个该发光单元包含若干侧边及一周长，配置在该第一表面上；该些导电配线结构电性连接该些发光单元，配置在该第一表面上；任一该些发光单元的侧边与其相邻的该发光单元间具有若干垂直距离，当该些垂直距离大于50μm时，该发光单元的侧边与最近的该发光单元不相近；任一该些发光单元与其相邻的发光单元不相近的侧边长度总和与该发光单元的周长比大于50%。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 阵列 发光二极管 元件 | ||
【主权项】：
一种二维式阵列发光二极管元件，其特征在于：该二维式阵列发光二极管元件包含一透明基板、若干个发光单元、若干导电配线结构；该透明基板具有一第一表面；每一个该发光单元包含若干侧边及一周长，配置在该第一表面上；该些导电配线结构电性连接该些发光单元，配置在该第一表面上；任一该些发光单元的侧边与其相邻的该发光单元间具有若干垂直距离，当该些垂直距离大于50μm时，任一该些发光单元的侧边与其相邻的发光单元不相近；任一该些发光单元与其相邻的发光单元不相近的侧边长度总和与任一该些发光单元的周长比大于50％，任一该些发光单元的至少一侧边与其相邻的发光单元的垂直距离不大于50μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
