[发明专利]一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法有效
| 申请号： | 201210042843.9 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102593253A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;李媛媛;彭铮;周浪;魏秀琴;周潘兵 | 申请（专利权）人： | 上海中智光纤通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法，包括：采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，制得氢化氮化硅层；或者，采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，以氧化氮或者二氧化碳作为氧源，制得氢化氮氧化硅层。本发明具有气源利用率高，生长速率快，界面缺陷态少等特点，制备的薄膜的钝化效果优于等离子辅助化学气相沉积法制备的薄膜，有利于异质结电池效率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结晶 太阳电池 钝化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结晶硅太阳电池钝化层的制备方法，包括：采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，气压为0.2Pa～10Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度为1800℃～2200℃，衬底与热丝的距离为3～10cm，膜厚为2～10nm，制得氢化氮化硅层；或者，采用热丝化学气相沉积法，以硅烷作为硅源，以氨气作为氮源，以氧化氮或者二氧化碳作为氧源，气压为0.2Pa～10Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度为1800℃～2200℃，衬底与热丝的距离为3～10cm，膜厚为2～10nm，制得氢化氮氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
