[发明专利]一种MWT太阳能电池电极的制备方法无效
| 申请号： | 201210043202.5 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102544235A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 黄纪德;许佳平;金井升;蒋方丹;陈良道 | 申请（专利权）人： | 上饶光电高科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 334000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MWT太阳能电池电极的制备方法，含以下步骤：(1)选取MWT前工序完成的晶体硅片，在晶体硅片的背光面印刷上正电极主栅线和负电极主栅线；(2)在背光面印刷上背场，使背场与正电极主栅线相连，形成正电极，并使背场与负电极不相连；(3)在晶体硅片受光面印刷上细栅线，使细栅线与导电通孔相连接，同时将负电极主栅线与导电通孔相连接，形成负电极；(4)将晶体硅片烧结后制成MWT太阳能电池电极。该方法与传统的MWT电池的点接触式电极相比，采用线性的电极连接方式，为后续组件的制备提供了便利，且与传统的太阳能电池印刷工艺及组件工艺完全兼容，适合于大规模生产，并节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mwt 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MWT太阳能电池电极的制备方法，包括对晶体硅片进行前工序处理制成具有导电通孔的MWT型太阳电池用晶体硅片，其特征是还含以下步骤：(1)选取MWT前工序完成的晶体硅片，在晶体硅片的背光面印刷上正电极主栅线和负电极主栅线；(2)在背光面印刷上背场，使背场与正电极主栅线相连，形成正电极，并使背场与负电极不相连；(3)在晶体硅片受光面印刷上细栅线，使细栅线与导电通孔相连接，同时将负电极主栅线与导电通孔相连接，形成负电极；(4)将晶体硅片烧结后形成电池电极金属化，制成MWT太阳能电池电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上饶光电高科技有限公司，未经上饶光电高科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210043202.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
