[发明专利]形成三维非易失存储单元阵列的方法有效
| 申请号： | 201210043222.2 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103295966A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘;吕函庭;施彦豪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成三维非易失存储单元阵列的方法，以及具有该三维非易失存储单元阵列的集成电路。一种具有嵌镶字线的三维非易失存储单元阵列，例如是硅的导线形成于非易失存储结构叠层之上，字线沟道用来分隔相邻的硅线，这些由字线沟道分隔的硅线被氧化，形成绝缘表面于此字线沟道中，字线然后于字线沟道中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 三维 非易失 存储 单元 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种形成一三维非易失存储单元阵列的方法，包含：于该三维阵列中的多个非易失存储结构之上形成多个字线沟道，是通过形成多个硅线于该多个非易失存储结构之上，使得该多个字线沟道将该多个硅线彼此分隔；之后于该多个字线沟道形成绝缘表面，是通过将分隔该多个字线沟道的该多个硅线氧化；以及之后形成多条字线于该多个字线沟道中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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