[发明专利]立方晶氮化硼的合成方法及立方晶氮化硼烧结体的制法有效

专利信息
申请号: 201210043797.4 申请日: 2012-02-23
公开(公告)号: CN102731097A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 阿罕默迪·埃科·瓦多约;福长修 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: C04B35/5831 分类号: C04B35/5831;C04B35/622
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 康泉;王珍仙
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种在低压条件下从hBN合成cBN的低压合成方法及利用cBN原料粉末的cBN烧结体的制造方法。使用合金粉末或混合粉末作为金属催化剂在低压(4GPa以上)且1200~1700℃下从hBN合成cBN,并且,以cBN为原料粉末,使原料粉末中含有用作金属催化剂的上述合金粉末或混合粉末作为烧结助剂并进行烧结,从而得到cBN烧结体。其中,所述合金粉末或混合粉末由以下组成成分构成:在Cr为10~55质量%、Mo为10~50质量%及(Cr+Mo)为10~50质量%的范围内含有Cr及Mo中任意1种或2种,并且含有1~50质量%的V及1.5~8质量%的Al,剩余部分为Fe、Ni及Co中任意1种或2种以上。
搜索关键词: 立方 氮化 合成 方法 烧结 制法
【主权项】:
一种立方晶氮化硼的合成方法,所述合成方法在金属催化剂的存在下并在超高压高温条件下从六方晶氮化硼合成立方晶氮化硼,其特征在于,所述金属催化剂是由以下组成成分构成的合金粉末或混合粉末,含有Cr及Mo中任意1种或2种,其中当单独含有Cr时Cr为10~55质量%,当单独含有Mo时Mo为10~50质量%,当同时含有Cr和Mo时Cr+Mo为10~50质量%,并且含有1~50质量%的V及1.5~8质量%的Al,剩余部分为Fe、Ni及Co中任意1种或2种以上,进而在4GPa以上且1200~1700℃下进行所述合成。
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