[发明专利]公自转磁流变抛光去除廓形的优化调节方法

摘要

公自转磁流变抛光去除廓形的优化调节方法，属于光学曲面精密加工技术领域。为优化现有公自转磁流变抛光技术中的公转去除廓形，使之满足从边缘处至回转中心处去除量单调增大的条件，本发明在现有装置基座板上，加装包含滑板、丝杠、丝杠支承座等的调节装置，通过驱动丝杠转动带动滑板相对基座板沿x轴直线移动，安装于滑板上的抛光轮也同步地相对基座板沿x轴直线移动，从而定量可控地调节抛光轮自转轴线相对于抛光轮公转轴线的偏心量e，使得调节后自转去除廓形的去除量最大处与公转轴线的距离e’在±1.5mm以内，经过优化调节后的公转去除廓形更有利于修正工件面形误差。

主权项

一种公自转磁流变抛光去除廓形的优化调节方法，其特征在于：在现有的公自转磁流变抛光装置的基座板(1)上加装调节装置，该调节装置包括滑板(2)、丝杠(3)、丝杠支承座(4)和驱动机构(9)；所述滑板(2)通过丝杠螺母副与丝杠(3)相配合，并沿基座板(1)上的导轨相对基座板沿x轴直线移动，滑板(2)与抛光轮轴承座(5)固定联接；所述丝杠支承座(4)固定安装于基座板(1)上，丝杠(3)由丝杠支承座(4)支承；驱动机构(9)驱动丝杠(3)绕其自身轴线转动；所述优化调节方法如下：当抛光轮(7)只做自转不做公转时，通过驱动机构(9)驱动丝杠(3)绕其自身轴线转动，固定安装于滑板(2)上的抛光轮(7)随滑板(2)同步地相对基座板(1)沿x轴直线移动，从而调节抛光轮(7)自转轴线与公转轴线的偏心量e；使调节后自转去除廓形(14a)的抛光去除量最大处相对于抛光轮(7)公转轴线的距离e’在±1.5mm以内，其中e’＝e‑e0，从而在抛光轮(7)既做自转又做公转时公转去除廓形(14b)得到优化，即既满足回转对称、又满足从边缘处至回转中心处抛光去除量单调增大这两个条件；其中，e0为调节前自转去除廓形的去除量最大处相对抛光轮公转轴线的偏移量。