[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法以及电源有效
| 申请号： | 201210044499.7 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102651387A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 冈本直哉 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/28;H02M1/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以使得具有随着距上电极的距离增加而降低的空穴浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 以及 电源 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一化合物半导体层；在所述第一化合物半导体层上形成的第二化合物半导体层；以及在所述第一化合物半导体层上形成的上电极，其中在所述第一化合物半导体层的位于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以具有随着距所述上电极的距离的增加而降低的空穴浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210044499.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：颈部弧形切口标记器
- 下一篇：一种超细碳化钨粉末的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
