[发明专利]在半导体器件和封装组件中的凸块结构有效
| 申请号： | 201210044730.2 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102903690A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 庄其达;庄曜群;林宗澍;郭正铮;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种位于半导体衬底或封装组件中的凸块结构包括：形成在半导体衬底的导电焊盘上方的凸块下金属化(UBM)层。UBM层的宽度大于导电焊盘的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 组件 中的 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括第一导电焊盘和第二导电焊盘；第一凸块结构，覆盖并且电连接至所述第一导电焊盘；以及第二凸块结构，覆盖并且电连接至所述第二导电焊盘，存在从所述第一凸块结构的中心至所述第二凸块结构的中心的凸块间距，其中，所述第一导电焊盘具有第一宽度，所述第一凸块结构具有第二宽度的第一凸块下金属化UBM层，所述第二宽度大于所述第一宽度。
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