[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210044819.9 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102650648A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 田边昭 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01P15/03 | 分类号： | G01P15/03 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括其中形成有凹陷气道的堆叠体；设置在堆叠体中的加热器，该加热器暴露于气道的底面上；以及设置于堆叠体中的多个热传感器以使得所述多个热传感器在气道延伸的方向上将加热器夹于其间，多个热传感器暴露于气道的底面上。提供一种加速度传感器，其对常规半导体制造工艺具有高相似性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：其中形成有凹陷的气道的堆叠体；设置在所述堆叠体中的发热部，所述发热部暴露于所述气道的底面上；以及以下述方式设置于所述堆叠体中的多个热传感部，使得所述多个热传感部暴露于所述气道的底面上，并且在所述气道的延伸方向上将所述发热部夹于其间。
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