[发明专利]一种掺钕磷酸钆钾激光晶体及其制备方法和应用无效
申请号: | 201210045148.8 | 申请日: | 2012-02-24 |
公开(公告)号: | CN102534777A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 孙同庆;孔勇发;许京军 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | C30B29/14 | 分类号: | C30B29/14;C30B9/12 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种掺钕磷酸钆钾激光晶体,分子式为Nd:KGdP4O12,属于单斜晶系,具有C2/c空间群结构,其中钕离子作为掺杂离子,取代钆离子的晶格位置,钕的掺杂浓度为1-20at.%;其制备方法是,以Gd2O3、Nd2O3、K2CO3和NH4H2PO4混合物为原料,以K2CO3和NH4H2PO4反应得到的偏磷酸钾为助熔剂,采用自助熔剂法制备。本发明的优点是:该激光晶体制备工艺简单、易于操作,制得的晶体不易解理,硬度适中,具有良好的机械性能、热学性能和光学光谱特性,用于固体激光器中作为工作物质,使用闪光灯或LD作为泵浦源,激发产生1.06μm波长的激光输出,可广泛用于光谱学、生物医学和军事领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 磷酸 激光 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种掺钕磷酸钆钾激光晶体,其特征在于:分子式为Nd:KGdP4O12,属于单斜晶系,具有C2/c空间群结构,晶胞参数为β=110.84°,Dc=3.61g/cm3,其中钕离子作为掺杂离子,取代钆离子的晶格位置。
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