[发明专利]稀土离子掺杂稀土氟氧化物的晶体硅太阳能电池结构

摘要

本发明公开了一种基于稀土离子掺杂稀土氟氧化物的晶体硅太阳能电池结构，包括：依次自下而上相互叠加的背电极(1)、银铝浆薄膜(2)、P型晶体硅层(3)、N型晶体硅层(4)、减反射膜(5)、稀土离子掺杂稀土氟氧化物膜(6)、正电极(7)。该结构的晶体硅太阳能电池可将太阳光中不能被硅晶体吸收的，波长大于1100nm的红外光转换为可被晶体硅吸收利用的可见光，从而增加对红外光的利用，提高硅太阳能电池的光电转换效率，同时减少红外光对电池的破坏，提高电池的性能。同时，该结构的晶体硅太阳能电池的机械强度和化学稳定性好，上转换效率高。

主权项

一种稀土离子掺杂稀土氟氧化物的晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，包括：依次自下而上相互叠加的背电极(1)、银铝浆薄膜(2)、P型晶体硅层(3)、N型晶体硅层(4)、减反射膜(5)、稀土离子掺杂稀土氟氧化物膜(6)、正电极(7)；所述背电极为条形铝电极；所述稀土离子掺杂稀土氟氧化物膜中稀土氟氧化物为稀土氧化物与稀土氟化物在800～900℃反应制得；其中，所述稀土离子为Nd3+、Yb3+、Pr3+、Ho3+、Er3+中的一种或几种，所述的稀土氧化物为Nd2O3、Yb2O3、Pr2O3、Ho2O3、Er2O3中的一种或几种；所述稀土氟化物为LaF3、YF3、LiYF4、NaYF4、K2YF5、BaYF5或BaY2F；所述正电极为银栅电极。