[发明专利]一种在导电玻璃基板表面制备Tb掺杂BiFeO3铁电薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210045961.5 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102633443A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 谈国强;薛旭 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在导电玻璃基板表面制备Tb掺杂BiFeO3铁电薄膜的方法，包括：步骤1：将基板洗净；步骤2：紫外光照使基片表面达到原子清洁度；步骤3：将Fe(NO3)3·9H2O、Bi(NO3)3·5H2O和Tb(NO3)3·5H2O按摩尔比1∶(1-x)∶x(x=0～0.15)溶于乙二醇甲醚和冰醋酸的混合液中，搅拌均匀后得到稳定的BiFeO3前驱体；金属离子的浓度为0.3～0.9mol/L。步骤4：采用旋涂法制备薄膜，匀胶结束后，然后预退火、退火晶化得到晶态Tb掺杂BiFeO3铁电薄膜。本发明方法能够大幅度提高薄膜的剩余极化值，Tb掺杂后剩余极化值能够提升至55μC/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 玻璃 表面 制备 tb 掺杂 bifeo sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在导电玻璃基板表面制备Tb掺杂BiFeO3铁电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将FTO导电玻璃基板表面清洗干净；步骤2：将FTO导电玻璃基板置于紫外光照射仪中照射，使基片表面达到原子清洁度；步骤3：将Fe(NO3)3·9H2O、Bi(NO3)3·5H2O和Tb(NO3)3·5H2O按摩尔比1∶(1‑x)∶x溶于乙二醇甲醚和冰醋酸的混合液中，搅拌均匀后得到稳定的BiFeO3前驱体；金属离子的浓度为0.3～0.9mol/L；其中0＜x≤0.15，混合液中乙二醇甲醚和冰醋酸的体积比3∶1～2∶1；步骤4：采用旋涂法在FTO导电玻璃基片表面旋涂BiFeO3前驱液制备薄膜，匀胶结束后，然后预退火、退火晶化得到晶态Tb掺杂BiFeO3铁电薄膜。
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