[发明专利]具有室温磁电阻效应的Ti0.57Cr0.43N/p-Si异质结构及制备方法无效
| 申请号： | 201210046035.X | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102586733A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 米文博;段秀峰;白海力 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有室温磁电阻效应的Ti0.57Cr0.43N/p-Si异质结构及制备方法。本发明通过大量的实验研究，将Cr掺入氮化钛中，并与导体Si形成异质结构，包括改变实验过程中的基底温度和改变样品中的Cr的含量。该异质结构具有大的室温磁电阻效应。本发明在制备多晶Ti0.57Cr0.43N/p-Si异质结构时，Ti0.57Cr0.43N层为多晶结构，并且为柱状生长；与单晶Si之间的界面没有发生扩散现象，形成异质结构；在电流迁都为0.04mA时和200奥斯特磁场下，磁电阻达200％。本发明所涉及的多晶Ti0.57Cr0.43N/p-Si异质结构在自旋电子学器件上具有应用价值，例如可以作为磁场控制的开关，磁场敏感器等，并且本发明采用反应溅射法是工业上生产薄膜材料的方法、靶材选择简单和靶材使用率较高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 室温 磁电 效应 ti sub 0.57 cr 0.43 si 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有室温磁电阻效应的Ti0.57Cr0.43N/p‑Si异质结构，其特征是Ti0.57Cr0.43N层为多晶结构，并且为柱状生长；与单晶Si之间的界面没有发生扩散现象，形成异质结构；在电流迁都为0.04mA时和200奥斯特磁场下，磁电阻达200％。
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