[发明专利]双吸收层交替相移掩模衍射场的计算方法

摘要

本发明提供一种双吸收层交替相移掩模衍射场的计算方法，具体步骤为：步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n；步骤二、将每一层光栅的介电常数进行傅里叶Fourier级数展开，其中对TM偏振光，通过对介电常数倒数进行Fourier级数展开；步骤三、针对TE偏振光和TM偏振光，求解每层光栅的特征矩阵，再利用电磁场切向连续的边界条件，获取TE偏振光所对应的衍射场。本发明针对TM偏振光，通过对介电常数倒数进行Fourier级数展开，改善了TM偏振光入射有损掩模光栅时收敛性，使得计算出的衍射场具有更高的准确性。

主权项

1.一种双吸收层交替相移掩模衍射场的计算方法，其特征在于，具体步骤为：步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n；步骤二、将每一层光栅的介电常数进行傅里叶Fourier级数展开；对于TE偏振光，则为：ϵl(x)=Σh=-DDϵl,hexp(j2πhxΛ)]]>对于TM偏振光，则为：1ϵl(x)=Σh=-DDϵ‾l,hexp(j2πhxΛ)]]>其中，x方向为光栅矢量方向，Λ为交替相移掩模各光栅周期的最小公倍数，l＝[1，2，3]，D＝n-1，ε_l(x)为第l层光栅的介电常数，ε_l，h为第l层光栅相对介电常数第h个傅里叶Fourier分量，为第l层光栅相对介电常数倒数的第h个Fourier分量；步骤三、针对TE偏振光，利用步骤二中的ε_l，h，求解每层光栅的特征矩阵，再利用电磁场切向连续的边界条件，获取TE偏振光所对应的衍射场；针对TM偏振光，利用步骤二中的求解每层光栅的特征矩阵，再利用电磁场切向连续的边界条件，获取TM偏振光所对应的衍射场。